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固态系统中的缺陷是实现确定性量子发射体的理想平台。在众多候选材料和发射体中，六方氮化硼(hBN)中的点缺陷近年来展现出独特优势。该研究团队通过脉冲共振激发，探究了零声子线位于436 nm处的单个硼(B)中心缺陷的相干特性。实验观察到高达5π的功率依赖拉比振荡，证实了该跃迁的光学相干可控性。在π脉冲条件下，该团队获得了93%的优异单光子纯度。通过Ramsey干涉测量进一步研究该二能级系统的相干性，测得非均匀相干时间𝑇₂*=0.60 ns。这些结果表明hBN中的B中心缺陷可作为触发式相干量子发射体的可行候选，为其集成至量子光子平台迈出了重要一步。