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集成光子学为开发紧凑、稳定且可扩展的量子光态生成、操控与探测架构提供了强大解决方案。目前多种材料平台正并行发展，各自具备独特优势，并通过混合集成技术实现优势互补。本综述聚焦于铝镓砷（AlGaAs）这一III-V族半导体平台，其兼具成熟的制造工艺、适合电注入的直接带隙特性、低损耗传输特性、强电光效应以及与超导探测器芯片集成的兼容性。该团队详细阐述了基于该材料高二阶和三阶光学非线性的室温量子光源最新实现方案，以及集成了偏振分束器、马赫-曾德尔干涉仪、调制器和可调滤波器等多功能的光子回路。通过展示这些技术进展所实现的量子态工程案例，研究人员进一步探讨了铝镓砷集成量子光子学领域的发展前景与现存挑战。