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约瑟夫森结（JJs）中的材料缺陷（常被称为两级系统TLS）会与超导量子比特耦合，是可扩展量子处理器发展的关键瓶颈。尽管其重要性已被广泛认知，但理解TLS的微观来源及如何抑制它们仍是重大挑战。本研究展示了一种高通量、关联性的方法，用于追踪约瑟夫森电路中强耦合TLS的微观结构起源。该团队构建了包含6000个Al/AlOx/Al约瑟夫森结的TLS数据集及600余幅原子分辨率透射电镜图像，通过统计方法将制备工艺、微观结构与TLS发生关联，揭示了铝电极厚度、铝晶粒尺寸与TLS密度间的强相关性。据此，研究人员通过调整电极制备参数实现了TLS数量减少三分之二。这些成果建立了一种坚实的数据驱动方法，用于理解和控制量子电路缺陷，为显著降低TLS密度开辟了新途径。