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采用钽薄膜制造的超导量子比特近期显著延长了量子比特相干时间，这主要归功于金属-空气界面介电损耗的降低。然而，基底材料的选择也会影响对准粒子诱导退相干的敏感性。本研究对比了基于铌和钽的偏移电荷敏感型量子比特中的准粒子隧穿率。通过热辐射源，研究人员表征了两种材料对红外辐射的敏感性，并借助布线中的在线滤波器和环境红外吸收体的定向使用，探究了红外背景的影响。研究发现，对于钽基量子比特而言，这两种辐射通道都会显著导致退相干，而铌基量子比特则不受影响。安装红外滤波器后，测得铌和钽器件的隧穿率分别为100赫兹和300赫兹。此外，实验还观察到隧穿率存在以天为单位的时间依赖性，该团队认为这证明实验装置中存在缓慢冷却的热辐射组件。这些发现表明，要持续提升相干时间，可能需要重新关注辐射背景和实验装置设计，尤其是在引入新材料平台时。