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辐射影响是目前超导量子设备计算面临的一个挑战，因为它们可能导致整个设备出现广泛的相关错误。这类错误对量子纠错（QEC）码来说尤为棘手，因为现有纠错方案通常仅针对独立错误设计。为解决这一问题，该研究团队开发了一个计算模型来模拟辐射对QEC性能的影响：通过整合最新开发的准粒子密度模型，将辐射诱导的量子比特错误率映射到量子错误通道上，并对简单表面码进行仿真。团队还提出了量化QEC码抗辐射能力的性能指标，并通过扫描芯片设计参数来测试提升纠错性能的缓解策略。该模型的突出优势在于整体性——能模块化测试错误缓解策略及芯片与编码设计的协同表现。