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该研究团队通过一个无自旋费米子在两个晶格格点间跃迁的体系实现了“缀饰量子比特”，每个格点均与声子浴强耦合。研究人员采用Lang-Firsov变换使该问题可采用微扰理论处理，在极化子框架下应用时间无卷积主方程，在系统单重态-三重态基中研究了不同谱密度环境下缀饰量子比特的退相干动力学。研究表明：强耦合条件下量子相干性维持时间更长，其非单调衰减行为揭示了动力学中的非马尔可夫特性。通过相干性复苏和非单调衰减模式表征的非马尔可夫效应，其显著程度取决于声子浴频谱特性与耦合强度。与亚欧姆型声子浴耦合的系统（无论是单独耦合还是组合耦合），在较小耦合值时即表现出显著记忆效应；而涉及欧姆型与超欧姆型声子浴的组合系统，则需较高耦合强度才能呈现明显的非马尔可夫特性。