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采用钽薄膜制备的超导量子比特近期显著延长了量子比特相干时间，这主要得益于金属-空气界面介电损耗的降低。然而，基底材料的选择也会影响对准粒子诱导退相干效应的敏感性。本研究比较了基于铌和钽的偏移电荷敏感量子比特中的准粒子隧穿率。通过热辐射源，研究人员表征了两种材料对红外辐射的敏感性，并利用线路中的在线滤波器和环境红外吸收体，系统探究了红外背景的影响。研究发现，对于钽基量子比特（而非铌基），上述两种辐射通道都是导致退相干的重要因素；安装红外滤波器后，铌和钽器件的隧穿率分别降至100赫兹和300赫兹。此外，该团队还观测到隧穿率存在以天为单位的时间依赖性，这被解释为实验装置中存在缓慢冷却的热辐射组件的证据。这些发现表明，要持续提升相干时间，可能需要重新关注辐射背景和实验装置设计，特别是在引入新型材料平台时。