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硅中的色心作为量子技术的单光子源具有巨大潜力。其中如T中心等色心还具有光活性自旋特性，能实现自旋-光子界面以产生纠缠光子和多自旋寄存器。本论文探索了在可大规模生产的绝缘体上硅量子器件中制备多种硅色心的方法。该研究团队系统分析了器件开发过程中热处理和光学纳米结构制备等关键工艺对量子发射体形成的影响，揭示了不同色心之间相互耦合的形成动力学，确定了热处理工艺的最优参数，并报道了色心对退火时长和光子集成电路纳米加工工艺的敏感性。此外，研究人员首次观测到硅中若干此前未被识别的色心稳定光学信号。