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该研究团队通过金刚石衬底内的氮空位（NV）中心，实现了氢终端金刚石场效应晶体管（FET）中电流流动的宽场磁成像技术。金刚石表面氢终端化会诱导形成二维空穴气（2DHG），而位于表面以下约1微米的近表面NV中心集合体，能以微米级空间分辨率对电流进行非侵入式磁成像。研究人员在漏源偏压Vds=0至−15V、栅极电压Vgs=+3至−9V范围内对FET进行了电学表征，并在器件工作期间同步实施原位宽场NV磁力测量。 磁场分布图与重构的电流密度分布直接可视化呈现了源漏接触处的电流注入以及氮化硼栅极沟道下方的传输过程。磁场图显示沟道区域因栅极介电质不均匀性或缺陷导致的电流密度变化。此外，该团队观察到激光照射期间漏极电流显著增强（约600−900μA）以及表观阈值电压偏移，反映了沟道静电特性的光致变化。通过将栅压依赖性磁图像与同步电学测量结果相关联，该工作直接将空间电流分布与FET转移特性联系起来，为晶体管沟道中的埋入界面传输和非均匀栅控效应提供了新见解。 由于该方法与顶栅FET兼容，可用于绘制二维材料、宽带隙沟道等新兴沟道材料中微米级分辨率的沟道电流分布图，从而确立宽场NV磁力测量作为探测晶体管和范德瓦尔斯介电异质结构中电荷传输的强大技术平台。