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石墨烯通过门控技术实现了载流子密度的精确调控，这使其成为研究电子相互作用的理想平台。然而，样品的不均匀性往往限制了在低密度区域（这些区域中电子相互作用占主导地位）的研究。因此，提高载流子迁移率对于探索基本物理性质和开发器件应用至关重要。在本研究中，该团队展示了一种采用超薄六方氮化硼隔离的双层石墨烯结构，显著降低了外部不均匀性。层间的相互屏蔽效应减少了随机库仑势引起的散射，使得量子迁移率超过[数值未提供]。舒勃尼科夫-德哈斯振荡在低于1毫特斯拉的磁场下出现，而在0.002特斯拉的磁场下观测到整数量子霍尔效应特征。此外，研究还发现了一个填充因子为[未提供]的分数量子霍尔平台，该现象出现在2特斯拉磁场条件下。这些结果表明，该平台非常适用于研究石墨烯基异质结构中的强关联电子相。