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该研究团队展示了基于绝缘体上硅（SOI）晶圆制备的、悬浮于硅膜上的过渡边缘传感器（TES）探测器的电热特性研究。与常用的氮化硅膜不同，全硅制造平台可实现TES与超导量子干涉器件（SQUID）电路的单片集成。该全硅架构还能高效利用焦平面区域——通过弯曲芯片减薄部分，可将读出电路置于焦平面之外。这种集成制造兼容性与焦平面高效利用方案为开发高性能软X射线谱仪提供了新路径。 此项工作旨在开发万像素级TES光谱仪，以解决催化研究中的关键测量瓶颈。现有技术因高通量低速的特性，往往无法通过共振非弹性X射线散射（RIXS）等技术检测脆弱的碳基中间体。新仪器将实现快速RIXS测量且避免样品损伤。研究人员采用脉冲激光验证探测器模型并测量能量分辨率，证实该方案适用于即将部署于国家同步辐射光源二期（NSLS-II）的终端仪器。