量子科技中心_量科网

该研究展示了一款基于专有4H碳化硅（SiC）技术的工业级可扩展、高能效高性能量子磁强计芯片。通过采用晶圆级制造工艺，该工作优化了V2硅空位色心的制备，实现了深度与密度精确控制、具有高度可重复性的工业级生产。将这些色心集成到平面碳化硅波导中的设计，相较于传统共聚焦方法，不仅能高效激发大规模色心系综，还显著简化了荧光提取过程。研究团队报道了连续波光学探测磁共振测量结果，并结合拉比、拉姆齐和哈恩回波序列实验，证实了嵌入式V2色心大系综的相干特性。数据显示，该设备的传感器散粒噪声极限灵敏度比复杂共聚焦技术低2-3个数量级。这些突破性进展简化了量子传感器架构，提升了灵敏度，优化了光学激发与收集流程，从而为开发新一代碳化硅量子传感技术奠定了基础。