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动力学解耦（DD）与浴场工程是两种用于缓解量子比特因环境不可避免耦合导致退相干的并行技术。本研究提出了一种混合DD方案，通过将脉冲式DD与浴场自旋极化相结合，在中心自旋模型中增强量子比特相干性。该模型可通过砷化镓半导体量子点或类似量子模拟器实现，实验表明中心自旋相干时间较自由感应衰减时间延长约2至3个数量级，其中主要贡献来自DD技术，自旋浴极化则带来适度改善。这项整合单轴动力学解耦与辅助浴场自旋调控的研究，为延长砷化镓/铝砷化镓、硅及硅/锗硅等实际量子系统的相干时间开辟了新途径，对量子信息处理应用具有重要价值。