ZnSe量子阱中的浅能级施主束缚电子是实现光寻址自旋量子比特与单光子源的理想候选体系。然而,局域环境中的电荷涨落会导致光谱展宽,常限制其光学相干性与不可区分性。该研究团队报道了在ZnSe量子阱中对单个施主量子比特的电场调控技术。施加电场产生的直流斯塔克效应可将发射能量调控范围拓展至非均匀线宽的30倍以上,从而有效补偿不同发射体间的能隙差异。电场同时可稳定陷阱态占据情况,使光学线宽缩减一半并抑制光谱漂移现象。基于陷阱动力学的统计模型定性复现了这些现象,阐明了电场辅助抑制电荷噪声的机制。该工作证实电场调控是显著提升光学与自旋寻址能力的通用方法。
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2025-12-25 01:48