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传统观点认为，Bi₂Se₃族二维拓扑绝缘体的导电边缘态受时间反演对称性保护。然而，理论体态计算和近期实验表明，这些边缘态在强外部磁场作用下依然存在。为解决这一表面矛盾，该研究团队构建了半无限样品在垂直磁场中边缘态波函数的解析描述模型。该模型基于常规体态朗道能级，同时引入由硬壁边界产生的额外态——这些态在无限系统中不可归一化。解析波函数与数值计算结果高度吻合，可直接用于分析磁场中边缘态的行为特征。