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硅自旋量子比特因其高相干性、高可控性和可制造性，成为量子计算领域极具前景的候选方案。然而迄今为止，基于互补金属氧化物半导体（CMOS）最具扩展性的实施方案仍局限于少数量子比特。为实现大规模系统目标，该研究团队通过300毫米CMOS兼容代工工艺制备的八点线性硅自旋量子比特阵列，实现了超越双量子比特体系的操作扩展性。所有八个量子比特均被成功调谐并表征为四个双量子点对，其拉姆齐退相干时间T2*最长达到41(2)微秒，哈恩回波相干时间T2^Hahn最长达到1.31(4)毫秒。研究人员采用级联电荷传感方案实现了中央四个量子比特的读取，可同步完成整个多量子比特阵列的高保真度测量。此外，该团队还展示了相邻量子比特间低相位噪声的双量子比特门操作。这项工作证实了硅自旋量子比特阵列可扩展至8量子比特的中等规模阵列，同时保持系统相干性。