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该研究团队从理论上研究了基于全环绕栅极（GAA）晶体管的自旋量子比特结构的读出过程。研究工作聚焦于由两个物理量子比特组成的逻辑量子比特，不同自旋构型会导致电荷分布差异，进而影响GAA晶体管的静电效应，从而使流经GAA晶体管的电流呈现量子比特状态依赖性。研究人员通过技术计算机辅助设计（TCAD）仿真，计算了量子比特与GAA结构三维构型的电流-电压特性曲线。进一步采用集成电路专用仿真程序（SPICE）进行电路模拟，探究互补金属氧化物半导体（CMOS）晶体管构成的读出电路能否放大量子比特产生的微弱信号。研究结果表明：通过在合理设计的电路中动态调控外加电压，能够基于常规灵敏放大器实现有效读出检测。