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过渡金属掺杂技术常被用于调控固态材料的性能，以满足科技应用需求。过渡金属原子部分填充的d电子壳层可产生具有丰富空间与自旋对称性的电子态。三价铬离子（Cr³⁺）不仅在设计激光材料方面展现出巨大潜力，近年来更成为量子应用中自旋量子比特开发的重要候选体系。由于其d³电子构型，这类化学体系还呈现出强关联多参考激发态的独特性质，但采用单参考量子化学方法（如研究固态体系电子结构最常用的密度泛函理论DFT）难以准确描述这些态。近期研究表明，周期性晶体场有效哈密顿量（pEHCF）方法能有效克服d态激发能计算中的某些局限。该工作系统评估了DFT与pEHCF方法在计算宽禁带基质材料中三价铬掺杂剂的电子结构及d-d跃迁方面的适用性，研究成果将推动新型过渡金属掺杂材料的计算开发，并为深入理解固体中过渡金属掺杂剂的复杂本质提供理论基础。