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光电检测磁共振（PDMR）技术为半导体中自旋缺陷的光学读出提供了一种可扩展的替代方案，尤其对近红外（NIR）发射体具有重要应用价值——这类发射体的光探测通常面临挑战。该研究团队展示了PL3（双空位）、PL5、PL6和PL7自旋在室温下的相干PDMR信号。与光学检测结果相反，PL7和PL5表现出比PL6更强的PDMR响应，表明其具有更高的电离效率和电学读出适用性。拉比振荡和双频谱学分析揭示了PL7先前未被发现的次级共振峰。研究人员确定了PL7的零场分裂参数，并将近期报道的PL3a缺陷归属为PL7。这些NIR缺陷的PDMR实验成果标志着量子电子器件发展取得关键突破。此外，澄清的自旋参数与电离特性为推进基于这些缺陷的量子技术奠定了坚实基础，无需受限于具体检测方案。