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该研究团队展示了在工业级300毫米绝缘体上硅（SOI）晶圆工艺制备的天然硅-金属氧化物半导体（Si-MOS）量子点中，通过电子自旋共振实现高保真度单量子比特控制。实验实现了5MHz的较高最优拉比频率，动态解耦了电子自旋与其Si-29核自旋环境的耦合。通过实时追踪量子比特频率，有效抑制了低频噪声对量子比特频率的影响，将5MHz拉比频率下的TRabi时间从7μs提升至11μs，使品质因数（Q-factor）突破50。随机基准测试测得平均单量子门操控保真度达99.5±0.3%。由于脉冲面积校准的优化，该保真度目前受限于拉比品质因数。这些结果表明，即便存在低频磁噪声，快速拉比频率、低电荷噪声及反馈协议的综合应用仍可使此类Si-MOS器件实现高保真度操控。