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该研究团队提出了一种激子理论方法，用于研究莫特相变阈值下高密度受限半导体材料的超快光学响应。该理论适用范围涵盖了从相干激子跃迁和双激子主导的相干态，到激子占据主导的非相干态的全过程。针对二维半导体材料，研究人员在强圆偏振泵浦条件下，对两种不同库仑相互作用强度（中等库仑相互作用与相对于光-物质相互作用强度占优的强库仑相互作用）下的1s激子动力学进行了数值模拟。通过解耦多种多体效应发现：在库仑作用主导体系中，激子拉比振荡强度显著减弱。此外，通过对比单层二硒化钼中圆偏振与线偏振激发模式，发现线偏振激发会形成几乎完全抑制激子拉比振荡的作用机制。