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自旋-轨道耦合的spin-1相干自旋中心的空间结构与磁性：III-V族半导体中的锰中性受主

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在III-V族半导体中，锰掺杂剂会产生一种高度纠缠、相干的三重态基态，这种状态无法完全通过单行列式电子结构理论来描述。该研究团队直接构建了其基态波函数的解析形式，发现了半经典计算未能揭示的自旋-电荷关联现象。与掺杂剂相关的自旋关联环流可在距砷化镓中锰原子约10纳米处产生高达约1微特斯拉的显著磁边缘场——当掺杂剂自旋进行相干进动时，这种磁场有望通过NV-金刚石磁强技术进行探测。
作者所在地： VIP可见
作者单位： VIP可见
提交arXiv： 2025-12-01 00:32
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电荷 经典计算 砷化镓 三重态 纠缠

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