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用于单光子发射的量子材料开发对推动量子信息技术发展至关重要。尽管近红外波段（λ~700-1000 nm）单光子源近年取得显著进展，但实现通信波段理想单光子发射仍存在诸多挑战。该研究提出了一种基于金属有机气相外延（MOVPE）的液滴外延策略，用于制备覆盖O波段至C波段的半导体量子点单光子源。通过研究外延生长条件，该团队成功合成了发射谱线窄且覆盖λ~1200-1600 nm宽光谱范围的InAs/InP量子点。利用原子力显微镜和显微光致发光光谱对样品的形貌与光学特性进行表征，测得普通量子点结构的单光子纯度达g(2)(0)=0.16，辐射复合寿命短至1.5纳秒。该工作为未来研究集成微腔增强技术及通信波段量子点与其他量子光子学元件的耦合提供了关键平台，在量子网络应用方面展现出重要前景。