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射频离子阱中的微运动通常被认为不利于量子逻辑门操作，在尖端实验中往往被极力抑制。然而作为一种确定性效应，其实际上可被整合至旨在设计高保真量子逻辑控制的量子操控框架中。该工作首次证明，利用双离子晶体径向模式设计快速门时，微运动能够发挥积极作用——尤其在亚阱周期区间内，研究人员发现操作时间从数百纳秒至微秒不等的高保真控制序列。通过对特定快速门方案的解析，该团队揭示了微运动增强作用的物理本质，并进一步研究了实验噪声与控制缺陷导致的门操作误差。此项分析证实了利用阱离子晶体对微运动敏感的径向模式，在数百纳秒内实现高保真纠缠门的可行性。