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该研究团队分析了在金属开口环谐振腔中嵌入的二维电子气体中最近观察到的整数量子霍尔效应崩溃现象。通过同时考虑量子化真空场和静电边界条件的变化，研究人员发现了一种可能解释这种崩溃现象的机制——由静电边界效应引发的非手性边缘通道形成机制。针对实验相关的几何结构，该机制建立的单电子最小模型预测出的特征信号与能量尺度与实验观测结果相符。这些预测可直接对比其他纯真空场诱导解释方案，从而为这一令人困惑现象的起源提供更深入的见解。