硅T中心激发态寿命与发射效率的巨大同位素效应

高效的单光子发射器对于量子网络和光量子计算机等量子技术至关重要。该研究团队探究了硅材料中一种工作在通信波段的T中心发光体,并发现其激发态寿命与同位素密切相关。其中,氘化T中心的寿命比常见的氢(氕)化T中心延长了五倍以上。团队通过第一性原理计算验证,这一显著差异源于碳-氢局部振动模式能量的降低,从而抑制了非辐射衰减。研究结果表明,氘化T中心已接近单位量子效率,可助力开发更高效的单光子源、量子存储器及纠缠态生成系统。

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提交arXiv: 2025-10-27 21:08

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