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在低温T条件下，研究人员预期超流体4He薄膜中会发生真空隧穿效应。该研究团队区分了两种过程：外禀过程（单个涡旋通过系统边界隧穿成核）与内禀过程（远离边界的涡旋/反涡旋对量子成核）——后者是相当新颖的发现。在隧穿计算中纳入涡旋可变有效质量至关重要。其中一种内禀过程相当于量子场论中施温格机制的超流体版本；在此表现为由外部超电流驱动的T=0量子相变。该工作计算了这些真空隧穿过程的速率，并提出通过特定“涡旋计数”实验验证理论预测的方法。