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最新实验进展表明，悬浮在固态氖上方的电子电荷量子比特正成为量子计算领域新兴潜力平台，但单电子横向束缚的物理起源仍未完全阐明。尽管先前理论工作主要研究了块状固态氖基底上的电子行为，但实验系统通常仅具有≲10纳米厚度且不均匀Content的氖层，这凸显出关于厚度如何影响电子捕获的核心问题仍未解决。本工作通过理论建模研究了固态氖层有限厚度与非均匀性对电子束缚的影响。对于10纳米厚氖层，其电子结合能较块게体材料提升了三倍。基于这种厚度依存效应，研究人员提出一种纳米图案化基底机制——通过设计厚度变化来产生横向电子束缚势阱。该横向束缚势可通过垂直电场进行精密调控。这种非均匀厚度诱导的电子电荷量子比特，为构建量子计算所需的多比特系统开辟了可行路径。