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该研究团队基于松饼盒势和量子光-物质相互作用模型，探究了耦合圆偏振光腔模式的Kagome晶格系统的拓扑能带结构。研究表明，光-物质相互作用打破时间反演对称性后，该腔嵌入式Kagome体系会涌现陈绝缘体相。值得注意的是，研究人员发现近平带亦可具有非零陈数而呈现拓扑非平庸特性。通过调节光-物质相互作用强度，该工作在超强耦合区还观测到不同陈绝缘体相之间的拓扑相变——这些相变会改变陈数符号，从而导致边缘电流方向反转。通过构建低能有效紧束缚模型，该团队最终证实了腔嵌入式Kagome陈绝缘体中拓扑边缘模的存在性。