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该研究团队对同位素富集28硅中中性施主至施主束缚激子跃迁（D0→D0X）进行了全面的实验研究，重点观测了V族施主元素（磷、砷、锑）在[100]和[110]晶轴方向精细调控的单轴应力及3.5毫特斯拉至1.7特斯拉磁场下的行为。通过测量提取出施主特异的形变势参数，发现单轴电子形变势Ξu明显大于硅材料其他态或跃迁的报道值，且呈现显著的施主物种依赖性，表明D0X态对应力和中心胞效应具有更高敏感性。研究还观察到空穴剪切形变势d的磁场依赖性，暗示其应变耦合机制比标准理论描述的更为复杂。通过塞曼光谱测得的抗磁位移参数与早期测量结果高度吻合。该工作为基于D0X跃迁的硅量子器件设计提供了精确的关键参数集。