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该研究团队开发了一种通过InGaP微环谐振器中自发参量下转换（SPDC）产生非高斯态模型。非线性哈密顿量采用系统渐近场形式表示，其中包含处理散射损耗的虚拟通道。系统完整态矢量被表述为高斯幺正算符作用于残余非高斯态矢量，该态矢量初始处于真空态并根据非高斯哈密顿量演化。研究表明，在现实参数条件下可进入泵浦耗尽区域，此时残余非高斯态矢量的维格纳函数呈现负值特征。但发现由于实现泵浦耗尽需要大量压缩，完整态矢量的非高斯特征可能无法观测。研究证明在低损耗区域，可通过在可访问模式上实施逆高斯幺正算符来消除大部分压缩效应，从而揭示非高斯特征。该工作为集成损耗微环谐振器中泵浦耗尽SPDC建模奠定了基础，为开发可扩展片上非高斯源开辟了路径。