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该团队提出了一种基于分子束外延生长的InAsSb表面量子阱与原位沉积的Nb顶层的半导体-超导体混合材料。相较于传统的Al-InAs体系，InAsSb表面量子阱具有更低的有效质量和更强的自旋轨道相互作用，而Nb层则具有更高的临界温度和更大的临界磁场。Nb的原位沉积形成了高质量界面，使其与InAsSb量子阱实现强耦合。约瑟夫森结的输运测量显示其诱导超导能隙为1.3 meV。此外，研究人员实现了一个平面非对称SQUID器件，展现出同时来源于单个约瑟夫森结和完整SQUID回路的栅压可调叠加振荡。这种大诱导超导能隙与强自旋轨道相互作用的结合，使该材料成为探索栅压可调超导性和拓扑超导器件的理想平台。