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该研究团队报告了一种经过中温退火处理的三维铌制四分之一波同轴腔体的内部品质因数（Q_int）表现。在单光子水平（低于20毫开尔文）下，该腔体展现出Q_int≳3×10^9的特性，对应约90毫秒的内部光子寿命。值得注意的是，经中温退火处理的腔体即便经历多次降温循环和空气暴露，其Q_int值仍基本保持稳定。这些结果表明，中温退火处理可能在三维铌腔体表面形成了稳定的低损耗氧化铌层。该表面处理方法可应用于二维超导电路的制造，并有望提升基于铌的超导量子比特的寿命。