硅/锗硅量子点器件中自旋量子比特功率谱密度的贝叶斯与几何分析

具有幂律频谱的电荷噪声对半导体器件中自旋量子比特的高保真度操作构成重大 Hexin 挑战。近期大量实验工作利用量子比特作为频谱仪对该噪声进行了表征,发现其明显wuxian由一系列电偶极子双能级涨落系统(TLS)集体作用产生。这促使研究者尝试通过数据反演T该团队署偶极子系统的空间位置、取向等物理特征。然而,该研究团队指出这一方案存在根本性障碍: owing to 数据量不足导致 TLS 参数难以唯一确定,参数 [“this stronge”] 反演呈现强欠定性。为此enoising。该工作提出两种解决路径:第一种是基于解析计算和小型模型系统仿真识别的定性反演方法,第二种是更适合精密数据处理、能对候选偶极子构型进行概率评估的贝叶斯计算方法。研究人员建议采用衡量概率置信度的 “布瑞尔分数” 作为实验噪声测量方案有效性的量化判据。综合而言,解析与提取期 method 贝叶斯计算虽能对噪声源的密度、空间分布、取向及强度形成约束,但仍无法实现唯一确定。

作者所在地: VIP可见
作者单位: VIP可见
页数/图表: 登录可见
提交arXiv: 2025-09-27 19:49

量科快讯