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此前针对高电荷离子-分子碰撞建立的独立原子模型（IAM）基于几何截面重叠理论，采用像素计数法（PCM）抑制多重电离和俘获过程[Phys. Rev. A 101, 062709 (2020)]。本研究对该模型进行扩展，使其能够纳入分子内发生多重碰撞的可能性。该改进通过估算入射粒子与原子发生级联碰撞的平均自由程来实现。IAM-PCM模型已成功描述了质子-分子碰撞及高能中低电荷离子碰撞案例，新模型不仅与这些结果吻合，更重要的是改进了高电荷入射粒子的截面预测——所得截面虽大于IAM-PCM结果，但仍显著低于简单叠加规则的预测值。