同位素选择的单锑分子掺杂

要实现基于硅中杂质离子供体系统的量子计算架构,关键在于开发可靠的确定性制备方法。该研究团队报道了将同位素定义的特异性锑离子簇(121Sb/123Sb)掺杂进硅晶体的技术,获得了94%的实测检测效率。原子级分辨成像显示,注入后的锑离子间距约为2纳米,表明该体系适于构建耦合的多能级量子比特系统。该方法完全兼容硅衬底预富集工艺(可将29Si含量降至3ppm以下)。该工作为在硅基平台上构建规模化多能级量子比特阵列提供了可行路径。

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