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在电信C波段（1530-1565纳米）运行的高相干量子发射器，是发展可扩展量子技术的关键要素——该波段具备超低损耗光纤和光子电路优势。该研究团队通过改进的Stranski-Krastanov生长方案，采用化学束外延技术制备出高质量InAs/InP量子点，其特性表现为接近变换极限的线宽（ΓTL）。实验表明，该团队成功制备了长宽比>0.8、密度覆盖2至22微米⁻²的高度对称量子点。光学表征显示这些光源具有低至25±4微电子伏特的精细结构劈裂，以及g(2)(0)=0.012±0.007的单光子纯度，证实了量子点的优异品质。进一步通过标准具测量线宽并结合严格建模，研究人员测得低功率条件下平均线宽上限仅为12.1±6.7ΓTL，最优情况下可达2.8±1.8ΓTL。该成果标志着研发电信波段量子光源取得重大突破，这类光源对构建复杂量子网络与器件至关重要。