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半导体纳米片具有减弱的俄歇复合效应，因此展现出增强的多激子发光特性。这一优势使其成为研究高阶载流子动力学的理想对象，可帮助提取关键激子特性（如双激子与三激子结合能），这些特性对高激发通量应用具有重要影响。本研究通过单核/壳层CdSe/CdS纳米片观测三激子发光，采用先进自研单光子光谱仪实施预示后选择光子三重态测量，在时间与光谱维度上清晰解析了三激子→双激子→激子→基态的级联弛豫过程，明确了三激子弛豫路径及相互作用本质。结果显示双激子和三激子特征性蓝移现象，表明所研究纳米片中存在排斥性多激子相互作用。三激子相对较小的测量能移（5.9±0.7 meV）说明其通过1S能带而非1P能带重组，该结论与其他胶体量子点体系的研究结果一致。尤为重要的是，双激子与三激子结合能之间的强相关性，以及通过调控颗粒尺寸与组分实现能带调谐的能力，为开发近简并光子三重态发射器开辟了新路径。