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石墨烯和六方氮化硼（hBN）等二维材料为量子电子器件提供了多功能平台。实验通常需要将石墨烯封装在hBN薄片中，形成保护性范德华异质结构以保持嵌入晶体的精密特性。功能性器件的制备通常涉及电子束光刻和蚀刻来塑造异质结构形态，这一工艺推动了二维材料研究的发展。然而，现有图案主要局限于平面几何结构（如方框、孔洞和条纹），限制了构建高级架构的可能性。该研究团队采用热扫描探针光刻技术（tSPL），在范德华异质结构中实现了纳米级精度、平滑可调的厚度维度地形调控。通过电栅极调控正弦波形表面形貌，研究人员在石墨烯层上施加电场梯度，实现了载流子掺杂的空间调制。传输测量中观测到的电阻峰展宽和可公度振荡等特征，验证了tSPL技术在定制高质量量子电子器件方面的能力。