transmon区域的电荷敏感性

在量子计算架构中,传输子(Transmon)因其对电荷噪声的工程化不敏感性和较长的弛豫时间而被广泛采用。尽管具有这一优势,不同器件之间甚至同一器件内的量子比特间,传输子通常表现出显著的退相干时间波动。现有传输子量子比特被认为对电荷噪声不敏感,但近期极少有研究关注退相干与局域电荷环境的关联性。该研究发现退相干时间Tϕ的波动与电荷偏移量存在相关性:虽然电荷偏移波动较缓慢,但与之关联的宇称态切换是快速过程,可能影响拉姆齐实验中的Tϕ。研究人员开发了一种通过单次测量检测宇称切换事件的方案,该方案被嵌入拉姆齐测量序列中。结果表明保持相同宇称态的事件比双宇称态平均测量具有更高的T2时间。这些发现证实即便在EJ/EC≈50条件下,传输子仍可能受电荷噪声限制,因此必须将宇称翻转率纳入器件表征指标。

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