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分子磁体因其化学可调谐性、可通过电子自旋共振技术寻址以及长相干时间等特性，成为极具吸引力的自旋量子比特候选材料。钟态跃迁(CT)能使系统对一阶磁场涨落效应免疫，为延长相干时间T₂提供了有效途径，并能揭示非磁场涨落导致的退相干机制。该研究团队在零场CT附近研究了Cr7Mn（一种自旋1分子纳米磁体）的两种变体。发现在≤2K温度下，采用Hahn回波脉冲序列可在CT处获得T₂∼1μs的相干时间。远离CT区域时，观察到由核自旋耦合导致的电子自旋回波包络调制(ESEEM)振荡现象，其T₂高达1.35μs，表明存在独特的相干保持机制。使用CPMG脉冲序列进行动态解耦后，CT处T₂提升至∼2.8μs，ESEEM区域更达∼3.6μs，同时振荡行为被解调。实验测得T₂值基本不受分子在溶剂中稀释程度及溶剂氘代与否的影响，说明主要退相干源和ESEEM效应来自分子内部。为解释退相干现象，研究人员建立了同时包含磁场涨落和CT跃迁频率自身涨落的复合模型。实验数据可通过环境噪声（核拉莫尔进动频率噪声）与横向各向异性参数E的1/f噪声共同作用得到合理解释。这些关于退相干微观起源的认识，有助于实现分子自旋量子比特的理性设计。