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降低材料和加工过程中产生的退相干效应，对于开发基于超导量子比特的实用级量子处理器至关重要。本研究报道了两种氟基湿法蚀刻工艺对固定频率transmon量子比特（采用铝基底金属化约瑟夫森结）硅衬底表面处理的影响。通过多种材料分析技术，该团队证实这两种表面处理工艺能有效去除量子结制造过程中引入的锗残留物，且无需改变整体工艺流程。经最优工艺处理后，器件能量弛豫时间实现显著提升——中位T1值达334微秒，对应品质因数Q=6.6×10^6。这一结果表明，在引入表面处理工艺前，约瑟夫森结正下方金属-衬底界面是导致这类transmon量子比特电路微波损耗的主要因素。该工作还展示了如何将材料分析与量子器件性能参数相结合，以提升超导量子比特的性能水平。