纳米金刚石中单个SnV−中心在“劣质发射体”与“劣质腔体”区间内的腔耦合可调性研究

金刚石中量子发射器与光学腔的高效耦合是实现可扩展量子光子技术的关键。四族空位缺陷(尤其是带负电荷的锡空位中心)因其光谱稳定性、高德拜-沃勒因子及基态大轨道分裂特性,已成为极具前景的候选体系。该研究团队展示了纳米金刚石内单个锡空位中心与全可调法布里-珀罗微腔的受控耦合成果:在低温条件下,研究实现了弱耦合状态,并观测到随着色心光学跃迁线宽变窄,体系从“坏发射器”向“坏腔体”状态的转变。在4K温度下测得超过1.7的珀塞尔因子,证实了腔体对发射的增强作用。这些发现揭示了纳米金刚石中锡空位中心作为量子网络相干单光子源的潜力。

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