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4H-SiC立方位点（V2中心）的硅空位（𝑉ௌ௜）因其相干自旋态、成熟的材料体系和稳定的光发射特性，在量子技术领域展现出重大应用潜力。在这些基于碳化硅的应用中，掺杂起着关键作用——它可用于调控𝑉ௌ௜的电荷态并形成不同类型的缺陷。尽管其重要性突出，但关于掺杂效应的研究却鲜有报道。该工作系统研究了氮掺杂与退火处理对4H-SiC外延片中V2系综的光致发光（PL）、光学检测磁共振（ODMR）对比度及退相干时间的影响。结果表明：在特定电子浓度下，PL增强效果取决于电子辐照剂量，这一现象得到了氮存在时𝑉ௌ௜电荷态理论模型的支持。理论显示碳位点被氮取代后能高效地向𝑉ௌ௜提供一个电子。实验还观察到：通过采用10¹⁷至10¹⁸ cm⁻³浓度的氮掺杂并结合500-600℃一小时退火，可将ODMR对比度从低掺杂SiC的0.5%提升至1.5%，而PL强度仅比未退火样品降低20%。虽然在此掺杂水平下𝑇₂∗时间的缩短会部分抵消对比度增益，但估算的连续波ODMR散粒噪声极限灵敏度仍比未掺杂退火的SiC样品高出1.6倍。