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实现可扩展的量子互联需要将固态量子存储器与晶圆级光子工艺相集成。虽然此前光子集成研究依赖于实验室专用的特殊制备技术，但该工作通过后端工艺沉积实现了量子存储器平台与低损耗晶圆光子回路的单片集成。研究人员在氮化硅纳米光子波导上沉积了掺铒二氧化钛（TiO2）薄膜，并通过光子回波技术在亚开尔文温度下研究了铒离子的光学相干性。通过外部氧退火工艺和优化测量条件，该团队抑制了光学退相干现象，最终实现了64微秒的光学相干时间（对应5 kHz的均匀线宽）及4毫秒内27 kHz的慢速光谱扩散，这些性能参数与最先进的铒基器件相当。结合长达秒级的电子自旋寿命及已验证的铒离子发射电控能力，该研究团队证实基于晶圆光子工艺的Er:TiO2系统将成为可规模化生产的群体及单离子量子存储器平台。