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该研究团队报道了基于2H-MoTe2的谐振隧穿结构中观测到显著的量子电导振荡现象。该项工作采用分子束外延生长的2H-MoTe2和化学气相沉积生长的2H-WSe2，结合非平衡格林函数理论模型，制备了具有对称/非对称双势垒结构的n-WSe2/HfO2/i-MoTe2/HfO2/Au谐振隧穿器件。研究人员在低温条件下研究了MoTe2量子阱宽度等于或超过其激子玻尔半径（0.7纳米）时对谐振隧穿电流的影响。实验发现峰值电流随阱宽缩减而增大至临界值后，进一步微型化反而会导致电流下降。该工作首次在MoTe2基谐振隧穿器件中观测到4K低温下低电压区间峰值谷电流比（PVR）达到4的最高纪录。这一成果为未来可集成于高电子迁移率晶体管、适用于超低温量子比特架构的WSe2/MoTe2高性能谐振隧穿器件研制指明了方向。