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开发准确表征并减轻噪声影响的方法，对于提升含噪声中等规模量子（NISQ）器件上量子模拟的保真度至关重要。该工作提出了一种针对参数化量子电路的电路结构保持型误差缓解框架。该方法的优势在于能完整保留原始电路架构，同时有效表征与消除门级误差，从而实现稳健的高保真度模拟。为验证该方法的有效性，研究团队在IBM量子处理器上对非厄米铁磁横向场伊辛链进行了变分量子模拟实验。经误差缓解后的结果在不同噪声水平下均与精确理论预测高度吻合。该策略为处理门级误差提供了实用解决方案，显著拓展了当前量子硬件可实现模拟的范围。