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单分子磁体（SMMs）是能作为微型磁体发挥功能的分子，在存储设备的磁性存储位等应用中具有潜力。目前对单分子磁体的研发已证明其在低温下能长时间保持磁化特性。然而在磁性存储应用中，这些分子很可能需要附着在常温表面工作，此类环境下的单分子磁体表征极具挑战性且需特殊技术。为此，该研究团队采用金刚石中的氮空缺中心作为纳米尺度宽频磁场高灵敏传感器，利用单个氮空缺中心探测金刚石表面钴基单分子磁体的磁噪声。研究人员分别在296K和5-8K温度下检测噪声，观察到单分子磁体对不同温度下氮空缺中心弛豫时间的显著影响，据此推演出其磁特性——磁噪声谱密度（NSD）。此外，该工作还观测到外加磁场对单分子磁体磁噪声谱密度的影响。此方法对表征表面存储单元中的单分子磁体具有重要价值。