强耦合电-核自旋-光子界面的高保真控制
长距离量子网络需要将高效的自旋-光子界面与长寿命的本地存储器相结合。金刚石中的IV族色心(SiV、GeV和SnV)是这一应用的有力候选者,它们包含电子自旋-光子界面和掺杂核自旋存储器。最近的研究展示了在自旋-光子耦合和自旋-自旋纠缠方面的最先进性能。然而,电子与核自旋之间的耦合在光激发过程中引入了相位反冲,限制了核存储器的实用性。该团队提出利用SnV-117的大超精细耦合,在零磁场下操作设备,使存储器对光激发不敏感。研究团队进一步展示了集成在光子集成电路中的SnV-117色心的基态自旋控制,显示出97.8%的门保真度和2.5 ms的存储器自旋能级相干时间。这证明了零场协议在高保真操作中的可行性,并为使用SnV-117设备构建量子网络节点奠定了基础。
