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该论文研究了一维耗散Floquet晶格中连续谱束缚态（BICs）的生成与稳定。研究团队发现了一种在开放一维晶格系统中生成稳定BICs的不同机制，该机制源于一种特殊的暗Floquet态，即具有零准能量且在损耗位点上布居数可忽略的状态。研究结果表明，通过增加驱动频率或反直觉地增加耗散强度，可以显著增强由暗Floquet态产生的BICs的演化稳定性，这由其极低的衰减率所证明。研究团队进一步证明，即使在非线性区域，稳定的暗Floquet BICs也能稳健地持续存在。这些稳定的暗Floquet BICs的存在可归因于通过高频展开（HFE）方法导出的有效Floquet哈密顿量中高阶修正项的作用。此外，研究团队还证明，引入非厄米耗散可以扩展BICs存在的参数范围，并且耗散诱导的BICs可以导致波包的完全反射。该工作的发现为在耗散量子系统中实现稳定BICs的实验提供了理论支持。